Name: SSM6J505NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J505NULFTR-ND
Price: 3.88 CNY
Availability: InStock

SSM6J505NU,LF
DigiKey 零件编号	SSM6J505NULFTR-ND - 卷带（TR） SSM6J505NULFCT-ND - 剪切带（CT） SSM6J505NULFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM6J505NU,LF
描述	MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 12 V 12A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM6J505NU,LF 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	37.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2700 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.25W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-UDFNB（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
基本产品编号	SSM6J505