Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 4.6 CNY
Availability: InStock

RS1G120MNTB
DigiKey 零件编号	RS1G120MNTBTR-ND - 卷带（TR） RS1G120MNTBCT-ND - 剪切带（CT） RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RS1G120MNTB
描述	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 12A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RS1G120MNTB 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16.2 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	570 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3W（Ta），25W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSOP
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	RS1G