12A(Ta),80A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220-3TO-247-3TO-262(I2PAK)TO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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制造商零件编号
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价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
onsemi
2,841
现货
1 : ¥24.87000
剪切带(CT)
800 : ¥14.99889
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FDP3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
onsemi
1,079
现货
1 : ¥28.32000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AD EP
FDH3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
onsemi
428
现货
44,550
工厂
1 : ¥39.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
FDI3632
FDI3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-262(I2PAK)
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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12A(Ta),80A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。