Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 36.55 CNY
Availability: InStock

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FDB3632
DigiKey 零件编号	FDB3632TR-ND - 卷带（TR） FDB3632CT-ND - 剪切带（CT） FDB3632DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDB3632
描述	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
原厂标准交货期	41 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDB3632 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6000 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 310W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta），80A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 FDB363
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9 毫欧 @ 80A，10V

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替代品 (10)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BUK768R1-100E,118	Nexperia USA Inc.	5,764	1727-1062-1-ND	¥32.91000	类似
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IXTA130N10T	IXYS	353	238-IXTA130N10T-ND	¥55.16000	类似
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	4,804	1727-4763-1-ND	¥18.36000	类似
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	1,458	1727-4766-1-ND	¥23.16000	类似