FDB3632_SB82115

DigiKey 零件编号
FDB3632_SB82115-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDB3632_SB82115
描述
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-263（D2PAK）
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
散装
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
FDB363