10A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 350
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip Technology
系列
-Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7CoolGaN™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIDepletionEECOPACK®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V55 V60 V75 V100 V150 V190 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V0V,6V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4V,10V4V,5V4.5V,10V4.5V,20V5V5V,10V10V10V,15V15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.7 毫欧 @ 13A,10V11 毫欧 @ 10A,4.5V12 毫欧 @ 10A,10V12 毫欧 @ 6A,10V13.5 毫欧 @ 10A,10V14 毫欧 @ 10A,10V14 毫欧 @ 5A,10V15 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 8A,10V19 毫欧 @ 10A,10V20 毫欧 @ 5A,10V21 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1,6V @ 960µA2V @ 250µA2V @ 30µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 5.5mA2.7V @ 2mA2.8V @ 1.25mA(典型值)2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 6 V3.7 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 5 V6.4 nC @ 10 V6.4 nC @ 5 V6.5 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.9 nC @ 5 V8.4 nC @ 5 V10 nC @ 15 V11 nC @ 10 V11.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V±5V±8V±10V±12V±15V±16V±20V+22V,-10V+22V,-5V+22V,-6V±22V+25V,-10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
55 pF @ 400 V157 pF @ 400 V259 pF @ 1000 V265 pF @ 25 V300 pF @ 25 V310 pF @ 25 V321 pF @ 25 V331 pF @ 800 V340 pF @ 48 V350 pF @ 25 V350 pF @ 30 V357 pF @ 1000 V
FET 功能
-电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
850mW(Ta),20W(Tc)1.4W(Tc)1.5W(Ta)1.56W(Ta)1.56W(Ta),85W(Tc)1.75W(Ta),40W(Tc)1.92W(Ta),36.7W(Tc)2W(Ta),54W(Tc)2W(Ta),78.1W(Tc)2.1W(Ta),20W(Tc)2.1W(Tc)2.4W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-Microfoot4-PQFN(8x8)6-MicroFET(2x2)6-QFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(3x3)8-QFN(2x2)8-SOIC8-SOP8-TSSOP22-QFN(5x7)CPT3
封装/外壳
4-PowerTSFN4-XFBGA,CSPBGA6-PowerUDFN6-WDFN 裸露焊盘8-LDFN 裸焊盘8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)22-PowerVFQFNISOPLUS220™
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
350结果
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/ 350
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
5,005
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.26860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10A(Tc)10V160 毫欧 @ 5A,10V4V @ 250µA6.4 nC @ 10 V±20V340 pF @ 48 V-35W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF740PBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
2,998
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V10A(Tc)10V550 毫欧 @ 6A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STMicroelectronics
7,127
现货
1 : ¥22.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.76609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V550 毫欧 @ 4A,10V4V @ 250µA19 nC @ 10 V±25V540 pF @ 50 V-70W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak® SO-8
SIHJ10N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,213
现货
1 : ¥22.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.30926
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V360 毫欧 @ 5A,10V4.5V @ 250µA50 nC @ 10 V±30V784 pF @ 100 V-89W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
14,410
现货
1 : ¥89.10000
管件
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V10A(Tc)20V370 毫欧 @ 6A,20V2.8V @ 1.25mA(典型值)20.4 nC @ 20 V+25V,-10V259 pF @ 1000 V-62.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXYS
125
现货
1 : ¥164.79000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1000 V10A(Tc)10V1.5 欧姆 @ 5A,10V-200 nC @ 5 V±20V5320 pF @ 25 V耗尽模式695W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247(IXTH)TO-247-3
PowerPak SC-70-6 Single
SQA403EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
15,470
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.67017
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Tc)4.5V,10V20 毫欧 @ 5A,10V2.5V @ 250µA33 nC @ 10 V±20V1880 pF @ 10 V-13.6W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SQA405EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
4,112
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.67017
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V10A(Tc)4.5V,10V35 毫欧 @ 5A,10V2.5V @ 250µA33 nC @ 10 V±20V1815 pF @ 25 V-13.6W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
TO-252AA
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
onsemi
3,710
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.17870
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V10A(Tc)5V,10V180 毫欧 @ 5A,10V2V @ 250µA12 nC @ 5 V±20V520 pF @ 25 V-2.5W(Ta),40W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRFZ14PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
56,418
现货
1 : ¥7.07000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10A(Tc)10V200 毫欧 @ 6A,10V4V @ 250µA11 nC @ 10 V±20V300 pF @ 25 V-43W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
IPAK (TO-251)
IRLU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Infineon Technologies
8,469
现货
1 : ¥7.22000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V10A(Tc)4V,10V185 毫欧 @ 6A,10V2V @ 250µA20 nC @ 5 V±16V440 pF @ 25 V-48W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔IPAK(TO-251AA)TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO252-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Infineon Technologies
12,080
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.35348
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V10A(Tc)4V,10V185 毫欧 @ 6A,10V2V @ 250µA20 nC @ 5 V±16V440 pF @ 25 V-48W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD15P6F6AG
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
10,887
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.34790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10A(Tc)10V160 毫欧 @ 5A,10V4V @ 250µA6.4 nC @ 10 V±20V340 pF @ 48 V-35W(Tc)175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA8051L
MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
onsemi
21,927
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.58661
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V10A(Tc)4.5V,10V14 毫欧 @ 10A,10V3V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V1260 pF @ 20 V-2.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-MicroFET(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
600VMOS
IPN60R360PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Infineon Technologies
13,157
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.60905
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V360 毫欧 @ 2.9A,10V4.5V @ 140µA12.7 nC @ 10 V±20V534 pF @ 400 V-7W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT223-3-1TO-261-3
TO-220AB
IRLZ14PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
2,040
现货
1 : ¥8.70000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10A(Tc)4V,5V200 毫欧 @ 6A,5V2V @ 250µA8.4 nC @ 5 V±10V400 pF @ 25 V-43W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
4,807
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V10A(Tc)10V550 毫欧 @ 5.3A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF740BPBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
341
现货
1 : ¥11.63000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V10A(Tc)10V600 毫欧 @ 5A,10V5V @ 250µA30 nC @ 10 V±30V526 pF @ 100 V-147W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
DPAK
STD10NF30
MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
STMicroelectronics
4,544
现货
1 : ¥11.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.82851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V10A(Tc)10V330 毫欧 @ 5A,10V4V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V780 pF @ 25 V-103W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
STMicroelectronics
3,439
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.11208
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V10A(Tc)10V380 毫欧 @ 5A,10V4V @ 250µA15 nC @ 10 V±30V550 pF @ 100 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
706
现货
1 : ¥12.52000
管件
-
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V750 毫欧 @ 5A,10V4.5V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V1600 pF @ 25 V-250W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-252
SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Vishay Siliconix
1,855
现货
1 : ¥12.85000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.32615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V10A(Tc)10V330 毫欧 @ 14A,10V4.4V @ 250µA47 nC @ 10 V±30V2190 pF @ 25 V-107W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD10N30-330H_4GE3
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
1,672
现货
1 : ¥12.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.32615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V10A(Tc)10V330 毫欧 @ 14A,10V4.4V @ 250µA47 nC @ 10 V±30V2190 pF @ 25 V-107W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STFU10NK60Z
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STMicroelectronics
399
现货
1 : ¥13.01000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Tc)10V750 毫欧 @ 4.5A,10V4.5V @ 250µA48 nC @ 10 V±30V1370 pF @ 25 V-35W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
TO-220-F
STF10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
STMicroelectronics
951
现货
1 : ¥14.15000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V10A(Tc)10V1 欧姆 @ 3.6A,10V4.5V @ 100µA42 nC @ 10 V±30V1180 pF @ 25 V-35W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
显示
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10A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。