单 FET,MOSFET

结果 : 1,653
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V34 V40 V55 V60 V75 V80 V85 V100 V120 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA(Ta)190mA(Ta)300mA(Ta)390mA(Ta)540mA(Ta)580mA(Ta)630mA(Tc)650mA(Ta), 990mA(Tc)770mA(Ta), 1.29A(Tc)930mA(Ta), 1.55A(Tc)1A(Tj)1.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,2.5V2.5V,4.5V4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V8V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 150A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.55 毫欧 @ 50A,10V0.55 毫欧 @ 60A,10V0.6 毫欧 @ 60A,10V0.64 毫欧 @ 100A,10V0.7 毫欧 @ 100A,10V0.7 毫欧 @ 50A,10V0.74 毫欧 @ 100A,10V0.75 毫欧 @ 150A,10V0.76 毫欧 @ 100A,10V0.77 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 11µA750mV @ 3.7µA750mV @ 30µA950mV @ 3.7µA1.2V @ 1.5µA1.2V @ 100µA1.2V @ 110µA1.2V @ 11µA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.2V @ 25µA1.2V @ 3.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.59 nC @ 10 V0.6 nC @ 10 V0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.62 nC @ 4.5 V0.63 nC @ 10 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1.3 nC @ 4.5 V1.38 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 5 V1.7 nC @ 2.5 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V±12V±16V+20V,-16V±20V±25V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 50 V18 pF @ 30 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V55 pF @ 30 V56 pF @ 15 V75 pF @ 25 V89.9 pF @ 15 V94 pF @ 15 V115 pF @ 15 V120 pF @ 30 V143 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)300mW(Ta)360mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)520mW(Ta)560mW(Ta)1W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta)1.79W(Ta)1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-SO-DirectFET™ 等距 L8MG-WDSON-2,CanPAK M™P-TO251-3-1PG-DSO-8PG-HSOF-5-2PG-HSOF-5-4PG-HSOF-8PG-HSOF-8-1PG-HSOG-8-1PG-SC59-3
封装/外壳
3-WDSON5-PowerSFN6-VSSOP,SC-88,SOT-3638-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)-DirectFET™ 等距 L8SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
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/ 1,653
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
104,772
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
611,857
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,721
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78000
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.7 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
220,330
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
132,332
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.4A(Ta)
1.8V,2.5V
160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
750mV @ 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
48,839
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58240
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 270mA,10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
546,064
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.3A(Ta)
1.8V,2.5V
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
73,450
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72724
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 1.5A,10V
2V @ 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
140,884
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91742
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
206,007
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64337
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V,4.5V
140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS214NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
318,093
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69150
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V,4.5V
140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-74, SOT-457
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
14,192
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.73053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 4.5A,10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-Power TDFN
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Infineon Technologies
28,124
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.16369
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
17,706
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.52611
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 11µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSDSON-8
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
27,654
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.72490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
18,558
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.73223
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
4.02 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
54,906
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.52300
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-TSDSON
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Infineon Technologies
11,130
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Infineon Technologies
7,416
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.77233
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.3A(Ta),18A(Tc)
6V,10V
44 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 12µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
810 pF @ 50 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5,807
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
8.6 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
1,662
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.55770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
93,027
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.62599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7A(Ta),23A(Tc)
6V,10V
34 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
7,070
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
7V,10V
3.68 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 18µA
22 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Infineon Technologies
20,159
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.94479
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
6V,10V
9.7 毫欧 @ 40A,10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
56,929
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.72783
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Ta),73A(Tc)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。