Name: BSZ086P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 9.84 CNY
Availability: InStock

BSZ086P03NS3GATMA1
DigiKey 零件编号	BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND - 卷带（TR） BSZ086P03NS3GATMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSZ086P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ086P03NS3GATMA1
描述	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
原厂标准交货期	14 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 30 V 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSZ086P03NS3GATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13.5A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.1V @ 105µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	57.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4785 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSDSON-8
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	BSZ086

BSZ086P03NS3GATMA1