单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
EPCInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-eGaN®OptiMOS™ 5PowerTrench®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Ta），22A（Tc）9.2A（Ta），61A（Tc）14A（Ta），82A（Tc）16A（Ta）20A（Ta），152A（Tc）22，1A（Ta），35A（Tc）30.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 30A，10V4.4 毫欧 @ 20A，10V7 毫欧 @ 16A，5V7 毫欧 @ 40A，10V8.7 毫欧 @ 10A，10V14 毫欧 @ 29A，10V53 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 700µA2.4V @ 250µA2.5V @ 5mA3.8V @ 50µA4V @ 250µA4.5V @ 162µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.5 nC @ 5 V21.5 nC @ 10 V27 nC @ 10 V38 nC @ 10 V63 nC @ 10 V183 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±12V+16V，-12V+20V，-16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
685 pF @ 50 V1000 pF @ 15 V2120 pF @ 75 V2700 pF @ 50 V3159 pF @ 13 V3905 pF @ 75 V5590 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），48W（Tc）2.5W（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta），108.7W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）14.7W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3）8-PQFN（5x6）PG-WSON-8-2PowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® SO-8模具
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® SO-8模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,242
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
4,000 : ¥10.01923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），82A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
8-PQFN
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
onsemi
1,808
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.74705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.4A（Ta），22A（Tc）
6V，10V
53 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3905 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,543
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97530
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
PowerPAK SO-8
SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,422
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13745
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30.6A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V，-16V
1000 pF @ 15 V
-
14.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8SH
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Vishay Siliconix
71,763
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77240
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
22，1A（Ta），35A（Tc）
2.5V，10V
4.4 毫欧 @ 20A，10V
1.5V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
8-WDFN
NTTFS1D8N02P1E
MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
onsemi
1,963
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.98037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
20A（Ta），152A（Tc）
4.5V，10V
1.3 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 700µA
38 nC @ 10 V
+16V，-12V
3159 pF @ 13 V
-
800mW（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-PQFN
NTMFS015N15MC
MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
onsemi
11,956
现货
1 : ¥26.11000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.71403
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
9.2A（Ta），61A（Tc）
8V，10V
14 毫欧 @ 29A，10V
4.5V @ 162µA
27 nC @ 10 V
±20V
2120 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），108.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。