单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5PowerTrench®StrongIRFET™ 2TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.1A（Ta），3A（Tc）2.8A（Ta）13A（Ta），60A（Tc）169A（Tc）185A（Tc）200A（Tc）201A（Ta）210A（Tc）274A（Tc）300A（Tc）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 毫欧 @ 30A，10V1.5 毫欧 @ 100A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V1.6 毫欧 @ 100A，10V2 毫欧 @ 80A，10V2.6 毫欧 @ 27A，10V2.6 毫欧 @ 80A，10V2.8 毫欧 @ 80A，10V4.1 毫欧 @ 80A，10V4.2 毫欧 @ 100A，10V6.3 毫欧 @ 80A，10V8 毫欧 @ 13A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V164 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 250µA3.8V @ 267µA3.8V @ 275µA4V @ 250µA4V @ 500µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V2.8 nC @ 10 V10.2 nC @ 10 V58 nC @ 10 V69 nC @ 10 V90 nC @ 10 V111 nC @ 10 V116 nC @ 10 V118 nC @ 10 V133 nC @ 10 V175 nC @ 10 V211 nC @ 10 V216 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V130 pF @ 10 V395 pF @ 40 V3240 pF @ 50 V4120 pF @ 50 V5805 pF @ 75 V8545 pF @ 50 V8755 pF @ 50 V9265 pF @ 50 V9760 pF @ 50 V11000 pF @ 50 V11900 pF @ 50 V13258 pF @ 50 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）660mW（Ta）1.3W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Ta），104W（Tc）3.5W（Ta），250W（Tc）3.5W（Ta），300W（Tc）3.8W（Ta），250W（Tc）300W（Ta）300W（Tc）340W（Tc）375W（Tc）429W（Tc）500W500W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOF8-PQFN（5x6）PG-HDSOP-16-2PG-HSOF-8-1PG-TO263-7-14SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-263-7TO-263（D2PAK）TOLL-8L
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
108,576
现货
546,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50863
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-HPSOF Top View
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
onsemi
4,456
现货
1 : ¥28.82000
剪切带（CT）
2,000 : ¥14.04041
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
185A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 50 V
-
300W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
3,005
现货
1 : ¥45.56000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.18592
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8-PowerDFN
FDBL0630N150
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
onsemi
4,785
现货
1 : ¥48.03000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.38074
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
169A（Tc）
10V
6.3 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5805 pF @ 75 V
-
500W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
15,241
现货
1 : ¥56.24000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.89462
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
2,469
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88844
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
8-PowerDFN
FDBL0200N100
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
onsemi
2,648
现货
10,000
工厂
1 : ¥59.93000
剪切带（CT）
2,000 : ¥31.86663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 80A，10V
4.5V @ 250µA
133 nC @ 10 V
±20V
9760 pF @ 50 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
MCTL300N10YHE3-TP
MCTL300N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 300A TOLL-8L
Micro Commercial Co
43,334
现货
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥24.96664
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
-
1.45 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
13258 pF @ 50 V
-
500W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TOLL-8L
8-PowerSFN
8-PowerDFN
FDBL0240N100
MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
onsemi
19,609
现货
8,000
工厂
1 : ¥49.26000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.99578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
210A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±20V
8755 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-263
NTB004N10G
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
onsemi
9,703
现货
1 : ¥54.43000
剪切带（CT）
800 : ¥33.17241
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
201A（Ta）
10V
4.2 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 500µA
175 nC @ 10 V
±20V
11900 pF @ 50 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
onsemi
1,233
现货
1,600
工厂
1 : ¥79.72000
剪切带（CT）
800 : ¥50.22576
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 27A，10V
4V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±20V
8545 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
8-PQFN
FDMS86101A
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
onsemi
2,871
现货
1 : ¥24.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.07437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PowerDFN
FDBL0260N100
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
onsemi
3,940
现货
1 : ¥48.68000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.68131
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
9265 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
800
现货
1 : ¥49.67000
剪切带（CT）
800 : ¥29.99304
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
274A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 267µA
241 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
94,848
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18957
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23
SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.1A（Ta），3A（Tc）
4.5V，10V
164 毫欧 @ 2.1A，10V
2.5V @ 250µA
10.2 nC @ 10 V
±20V
395 pF @ 40 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。