单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
EPCInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyVishay Siliconix
系列
-eGaN®SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V100 V240 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）134mA（Tj）8.2A（Ta）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V1.8V，4.5V3V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V14 欧姆 @ 100µA，10V15 欧姆 @ 120mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 400µA1V @ 56µA2V @ 1mA2.5V @ 14mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 5 V23 nC @ 5 V110 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V76 pF @ 25 V3200 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）360mW（Tc）1.05W（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）8-TSSOPPG-SOT23TO-236AB（SOT23）
封装/外壳
7-PowerWQFN8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
46,900
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25365
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
100mA（Ta）
0V，10V
14 欧姆 @ 100µA，10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB (SOT23)
TN2124K1-G
MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Microchip Technology
6,470
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.25435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
134mA（Tj）
3V，4.5V
15 欧姆 @ 120mA，4.5V
2V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
360mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
59,442
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.28781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
8-TSSOP 8-MSOP
SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Vishay Siliconix
7,456
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.28614
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
8.2A（Ta）
1.8V，4.5V
8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
800mV @ 400µA
110 nC @ 5 V
±8V
-
-
1.05W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。