单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DTMOSVIEFFRFET®, SUPERFET®FRFET®, SuperFET® IIHEXFET®MDmesh™OptiMOS™TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
200 V300 V500 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）18A（Tc）22.5A（Tc）35A（Tc）38A（Ta）38A（Tc）41A（Tc）42A（Tc）45A（Tc）88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.7 毫欧 @ 88A，10V50 毫欧 @ 10A，10V55 毫欧 @ 22.5A，10V63 毫欧 @ 21A，10V65 毫欧 @ 19A，10V68 毫欧 @ 16A，10V110 毫欧 @ 17.5A，10V120 毫欧 @ 19A，10V150 毫欧 @ 11A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 1.69mA4V @ 250µA4V @ 270µA4.8V @ 5.2mA5V @ 250µA5V @ 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V62 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V73 nC @ 10 V77 nC @ 10 V85.2 nC @ 10 V87 nC @ 10 V100 nC @ 10 V145 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1160 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V2628 pF @ 100 V3340 pF @ 25 V3650 pF @ 300 V4400 pF @ 100 V4603 pF @ 400 V4895 pF @ 100 V7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），125W（Tc）68W（Tc）150W（Tc）250W（Tc）270W（Tc）278W（Tc）300W（Tc）313W（Tc）357W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO263-3PowerPAK® SO-8TO-220ABTO-263（D2PAK）TOLL
封装/外壳
8-PowerSFNPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
53,163
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
onsemi
2,360
现货
1 : ¥25.94000
剪切带（CT）
800 : ¥15.68713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
38A（Tc）
10V
120 毫欧 @ 19A，10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3340 pF @ 25 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Vishay Siliconix
4,322
现货
1 : ¥43.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
41A（Tc）
10V
68 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
2,100
现货
1 : ¥74.63000
剪切带（CT）
1,000 : ¥42.33521
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
42A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4400 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerPAK SO-8
SQJA20EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,653
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.79339
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
22.5A（Tc）
7.5V，10V
50 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
8,793
现货
1 : ¥54.43000
剪切带（CT）
1,000 : ¥40.28381
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
10.7 毫欧 @ 88A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRF840STRLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
1,379
现货
1 : ¥22.50000
剪切带（CT）
800 : ¥12.58718
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FCB110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
onsemi
1,300
现货
1 : ¥49.67000
剪切带（CT）
800 : ¥31.29769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 17.5A，10V
5V @ 3.5mA
145 nC @ 10 V
±20V
4895 pF @ 100 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
NVB055N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
onsemi
800
现货
800 : ¥35.53655
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
45A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 22.5A，10V
4.8V @ 5.2mA
85.2 nC @ 10 V
±30V
4603 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
1 : ¥48.44000
剪切带（CT）
2,000 : ¥25.96373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
38A（Ta）
10V
65 毫欧 @ 19A，10V
4V @ 1.69mA
62 nC @ 10 V
±30V
3650 pF @ 300 V
-
270W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。