单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Goford SemiconductorMicro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)300mA195A(Tc)430A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V2.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 20A,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V3 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.45V @ 250µA1.5V @ 100µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.2 nC @ 10 V186 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13 pF @ 5 V28 pF @ 30 V15870 pF @ 30 V16009 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)270mW294W(Tc)600W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8SOT-323SOT-723TO-263
封装/外壳
8-PowerSMD,鸥翼SC-70,SOT-323SOT-723TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK-8x8LR
SQJQ184ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,739
现货
1 : ¥28.98000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.11421
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
430A(Tc)
10V
1.4 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
16009 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerSMD,鸥翼
SOT 723
MC3541A-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Micro Commercial Co
23,429
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.27028
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA
2.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.45V @ 250µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 30 V
-
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT 323
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
49,832
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60972
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V
8 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
GC11N65M
G080P06M
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Goford Semiconductor
770
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
800 : ¥8.68790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
195A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
186 nC @ 10 V
±20V
15870 pF @ 30 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。