Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 15.37 CNY
Availability: InStock

G080P06M
DigiKey 零件编号	3141-G080P06MTR-ND - 卷带（TR） 3141-G080P06MCT-ND - 剪切带（CT） 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Goford Semiconductor
制造商产品编号	G080P06M
描述	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
原厂标准交货期	8 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-263
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15870 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	294W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB