单 FET，MOSFET

结果 : 18
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™-5ThunderFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V40 V50 V60 V100 V150 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）2A（Ta）3.1A（Tc）6A（Tc）9.4A（Tc）12A（Tc）12.5A（Ta）13A（Ta），49A（Tc）16A（Tc）18A（Tc）19.7A（Tc）23A（Tc）37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 25A，10V3.5 毫欧 @ 75A，10V6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V8.5 毫欧 @ 20A，10V9.3 毫欧 @ 40A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V9.5 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 15A，10V13.5 毫欧 @ 7A，4.5V34 毫欧 @ 5.1A，10V47.5 毫欧 @ 10A，10V58 毫欧 @ 20A，10V59 毫欧 @ 5A，10V110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 14µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.8V @ 110µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V24 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V32 nC @ 10 V48 nC @ 10 V69 nC @ 10 V80 nC @ 8 V85 nC @ 10 V87 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V188 pF @ 10 V405 pF @ 10 V835 pF @ 10 V880 pF @ 10 V1050 pF @ 50 V1320 pF @ 30 V1805 pF @ 75 V1900 pF @ 20 V2410 pF @ 50 V2880 pF @ 6 V3600 pF @ 15 V3700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）600mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）1.5W（Ta）2.5W（Ta），35W（Tc）2.5W（Tc）3.5W（Ta），27.7W（Tc）3.5W（Ta），7.8W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）19W（Tc）52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-5PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
817,881
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41597
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
187,658
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
53,426
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.52300
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
67,485
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.10887
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12.5A（Ta）
2.5V，4.5V
6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Diodes Incorporated
119,671
现货
288,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74191
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1V @ 250µA
2.3 nC @ 10 V
±12V
188 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
88,025
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08057
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Tc）
1.5V，4.5V
13.5 毫欧 @ 7A，4.5V
850mV @ 250µA
80 nC @ 8 V
±8V
2880 pF @ 6 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,925
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
2.5V，10V
34 毫欧 @ 5.1A，10V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±12V
835 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
58,905
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.20626
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
16A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），27.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7153DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,964
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.76723
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 15 V
-
52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,348
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04774
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
7,513
现货
1 : ¥26.27000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.77847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
6V，10V
3.5 毫欧 @ 75A，10V
3.8V @ 110µA
87 nC @ 10 V
±20V
6110 pF @ 50 V
-
166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263 (D2Pak)
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Vishay Siliconix
9,516
现货
1 : ¥35.46000
剪切带（CT）
800 : ¥21.39859
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
45A（Tc）
6V，10V
58 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±30V
5000 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerPak® SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,978
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.82921
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.4A（Tc）
6V，10V
305 毫欧 @ 3.8A，10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
107,315
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22871
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.7A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 15A，10V
3.3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK 1212-8S
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.62169
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1050 pF @ 50 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 1212-8
SIS862DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.81975
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.80603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
37A（Tc）
10V
47.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1805 pF @ 75 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 18

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。