单 FET,MOSFET

结果 : 25
制造商
Central Semiconductor CorpInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsTexas InstrumentsTransphorm
系列
-CoolGaN™MDmesh™ VNexFET™SuperGaN®SuperGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V150 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A(Tc)6.5A(Tc)9.2A(Tc)10A(Tc)11A(Tc)11.5A(Tc)13A(Tc)15A(Tc)16A(Tc)17A(Tc)20A(Tc)21A(Ta),100A(Tc)28A29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V5V5V,5.5V6V8V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 20A,8V7 毫欧 @ 10A,5V18 毫欧 @ 60A,10V41 毫欧 @ 30A,10V41 毫欧 @ 32A,10V60 毫欧 @ 22A,10V60 毫欧 @ 25A,10V85 毫欧 @ 16A,10V98 毫欧 @ 1.9A,5.5V140 毫欧 @ 5A,6V180 毫欧 @ 8.5A,10V190 毫欧 @ 3.9A,6V195 毫欧 @ 1.9A,5.5V240 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 960µA1.8V @ 250µA2.1V @ 5mA2.4V @ 18mA2.5V @ 12.2mA2.5V @ 17.2mA2.6V @ 500µA2.8V @ 500µA4.5V @ 1mA4.6V @ 700µA4.8V @ 1mA4.8V @ 2mA4.8V @ 500µA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.7 nC @ 6 V2.8 nC @ 6 V3.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 6 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 6 V7.6 nC @ 5 V8 nC @ 10 V8.4 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V9 nC @ 8 V9.6 nC @ 8 V11.6 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V+6V,-10V+6V,-4V+7V,-1.4V+10V,-8V±10V±12V±18V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
96 pF @ 400 V112 pF @ 400 V125 pF @ 400 V157 pF @ 400 V200 pF @ 400 V400 pF @ 400 V414 pF @ 400 V598 pF @ 400 V600 pF @ 400 V730 pF @ 400 V760 pF @ 400 V865 pF @ 85 V1000 pF @ 400 V1240 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
1.1W(Ta),84W(Tc)3.1W(Ta)13.2W(Tc)21W(Tc)28W41.6W(Tc)52W(Tc)56W(Tc)57W(Tc)62.5W(Tc)83W(Tc)96W(Tc)113W(Tc)119W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-FCLGA(3.2x2.2)3-PQFN(5x6)3-PQFN(8x8)8-DFN(5x6)8-PQFN(5x6)8-PQFN(8x8)8-VSONP(5x6)DFN5060-5DFN8080AKDFN8080KPG-LSON-8-1PowerFlat™(5x6)TO-220ABTO-247-3
封装/外壳
3-PowerDFN3-PowerTDFN3-VLGA8-LDFN 裸焊盘8-PowerDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘TO-220-3TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
25结果

显示
/ 25
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PowerVDFN
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STMicroelectronics
17,186
现货
1 : ¥25.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.19340
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
15A(Tc)
10V
240 毫欧 @ 7.5A,10V
5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Transphorm
669
现货
1 : ¥264.83000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
93A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 60A,10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
8-Power TDFN
CSD17310Q5A
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Texas Instruments
22,001
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.11239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
5.1 毫欧 @ 20A,8V
1.8V @ 250µA
11.6 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
1560 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Transphorm
2,800
现货
1 : ¥24.38000
剪切带(CT)
4,000 : ¥11.87252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
3.6A(Tc)
8V
560 毫欧 @ 3.4A,8V
2.8V @ 500µA
9 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
13.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(5x6)
3-PowerTDFN
GAN7R0-150LBEZ
GAN7R0-150LBEZ
150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Nexperia USA Inc.
4,057
现货
1 : ¥25.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.69596
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
28A
5V
7 毫欧 @ 10A,5V
2.1V @ 5mA
7.6 nC @ 5 V
+6V,-4V
865 pF @ 85 V
-
28W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-FCLGA(3.2x2.2)
3-VLGA
PQFN_8x8
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Transphorm
6,449
现货
1 : ¥29.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.33259
管件
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
8V
312毫欧 @ 5A,8V
2.6V @ 500µA
9.6 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
Transphorm
2,784
现货
1 : ¥41.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.25273
托盘
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
托盘
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 8.5A,10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerTDFN
GNP1150TCA-ZE2
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Rohm Semiconductor
2,902
现货
1 : ¥41.95000
剪切带(CT)
3,500 : ¥20.41859
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11A(Tc)
5V,5.5V
195 毫欧 @ 1.9A,5.5V
2.4V @ 18mA
2.7 nC @ 6 V
+6V,-10V
112 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN8080AK
8-PowerDFN
2,234
现货
1 : ¥47.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥23.27013
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
GAN140-650FBEZ
GAN140-650FBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
2,366
现货
1 : ¥49.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥17.86226
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
17A(Tc)
6V
140 毫欧 @ 5A,6V
2.5V @ 17.2mA
3.5 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
125 pF @ 400 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN5060-5
8-PowerVDFN
TP65H150G4PS
TP65H150G4PS
GAN FET N-CH 650V TO-220
Transphorm
3,020
现货
1 : ¥54.26000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
16A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 8.5A,10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
GNP1070TC-ZE2
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Rohm Semiconductor
3,614
现货
1 : ¥77.82000
剪切带(CT)
3,500 : ¥41.37258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
20A(Tc)
5V,5.5V
98 毫欧 @ 1.9A,5.5V
2.4V @ 18mA
5.2 nC @ 6 V
+6V,-10V
200 pF @ 400 V
-
56W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN8080K
8-PowerDFN
TP65H070G4LSG-TR
TP65H070G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Transphorm
2,686
现货
1 : ¥78.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥41.95469
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerTDFN
TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
157
现货
1 : ¥102.95000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
34A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
141
现货
1 : ¥117.89000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
34A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H035G4QS
TP65H035G4QS
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Transphorm
883
现货
1 : ¥144.48000
剪切带(CT)
2,000 : ¥85.17198
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
46.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Nexperia USA Inc.
251
现货
1 : ¥148.01000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H480G4JSGB-TR
TP65H480G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Transphorm
3,926
现货
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
4,000 : ¥10.80707
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
3.6A(Tc)
6V
560 毫欧 @ 3A,6V
2.8V @ 500µA
5 nC @ 10 V
±10V
414 pF @ 400 V
-
13.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Transphorm
2,979
现货
1 : ¥25.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.30034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
6V
312 毫欧 @ 6.5A,6V
2.8V @ 500µA
8.8 nC @ 10 V
±12V
730 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(8x8)
8-VDFN 裸露焊盘
TP65H480G4JSGB-TR
TP65H300G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Transphorm
3,921
现货
1 : ¥26.35000
剪切带(CT)
4,000 : ¥12.83515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
9.2A(Tc)
6V
312 毫欧 @ 6.5A,6V
2.8V @ 500µA
3.5 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
41.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
2,461
现货
1 : ¥38.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥18.71794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11.5A(Tc)
6V
190 毫欧 @ 3.9A,6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
96 pF @ 400 V
-
1.1W(Ta),84W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
8-DFN(5x6)
8-PowerVDFN
TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
Transphorm
1,000
现货
1 : ¥70.68000
剪切带(CT)
2,000 : ¥37.54943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Transphorm
2,976
现货
1 : ¥88.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥47.09415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(8x8)
8-PowerTDFN
TP65H050G4WS
TP65H050WSQA
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Transphorm
41
现货
1 : ¥155.81000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
36A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET 650V, 480mOhm
TP65H480G4JSG
MOSFET 650V, 480mOhm
Transphorm
0
现货
查看交期
4,000 : ¥12.24065
散装
散装
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
3.6A(Tc)
8V
560 毫欧 @ 3.4A,8V
2.8V @ 500µA
9 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
13.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(5x6)
3-PowerTDFN
显示
/ 25

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。