单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
EPCInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolGaN™CoolSiC™eGaN®HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS™ 6OptiMOS™-5STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）23A（Ta）， 192A（Tc）24A（Tc）31A（Tc）48A（Ta）59A（Tc）97A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V5V，10V8V，10V10V18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V8.6 毫欧 @ 58A，10V10 毫欧 @ 16A，10V30 毫欧 @ 12A，10V34 毫欧 @ 38.3A，18V100 毫欧 @ 6A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1，6V @ 2，6mA2V @ 250µA2.2V @ 12µA2.5V @ 4mA3.3V @ 116µA4V @ 150µA5.7V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 5 V10.6 nC @ 5 V11 nC @ 10 V63 nC @ 18 V72.5 nC @ 10 V116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-10V+6V，-4V±16V±20V+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 25 V380 pF @ 400 V670 pF @ 50 V1401 pF @ 100 V2131 pF @ 400 V4476 pF @ 50 V5500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）， 217W（Tc）38W（Tc）42.8W（Tc）125W（Tc）189W（Tc）221W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN（3x5）IPAKPG-DSO-20-85PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-33PG-TO247-4-3TO-220AB
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFN20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）TO-220-3TO-247-4TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-33
IAUC24N10S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Infineon Technologies
9,626
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.09138
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
24A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 12A，10V
2.2V @ 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
10,022
现货
1 : ¥32.18000
剪切带（CT）
5,000 : ¥15.03030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Ta）， 192A（Tc）
8V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 116µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 217W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
EPC2307ENGRT
EPC2307ENGRT
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
EPC
24,977
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥26.22170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
10 毫欧 @ 16A，10V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V，-4V
1401 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
TO-251-3 Long Leads IPak
STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
STMicroelectronics
1,387
现货
1 : ¥6.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
5V，10V
100 毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10 nC @ 5 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
42.8W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
318
现货
1 : ¥148.34000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
59A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 38.3A，18V
5.7V @ 11mA
63 nC @ 18 V
+23V，-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-220AB PKG
IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Infineon Technologies
1,960
现货
1 : ¥17.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
97A（Tc）
10V
8.6 毫欧 @ 58A，10V
4V @ 150µA
116 nC @ 10 V
±20V
4476 pF @ 50 V
-
221W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
800
现货
1 : ¥101.55000
剪切带（CT）
800 : ¥70.14456
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
31A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-DSO-20-85
20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。