单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
80 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），190A（Tc）31A（Ta），279A（Tc）32A（Ta），331A（Tc）35A（Ta），315A（Tc）37A（Ta），330A（Tc）37A（Ta），365A（Tc）37A（Ta），366A（Tc）40A（Ta），396A（Tc）120A（Tc）260A（Tj）300A（Tc）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V1.4 毫欧 @ 100A，10V1.4 毫欧 @ 150A，10V1.5 毫欧 @ 100A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V1.7 毫欧 @ 150A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V3.1 毫欧 @ 50A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 500µA3.6V @ 275µA3.8V @ 210µA3.8V @ 230µA3.8V @ 250µA3.8V @ 267µA3.8V @ 275µA3.8V @ 280µA4.6V @ 243µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
83 nC @ 10 V93 nC @ 10 V141 nC @ 10 V160 nC @ 10 V166 nC @ 10 V180 nC @ 10 V211 nC @ 10 V216 nC @ 10 V219 nC @ 10 V242 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7300 pF @ 75 V7400 pF @ 50 V11000 pF @ 50 V11000 pF @ 60 V11830 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V13000 pF @ 40 V16000 pF @ 50 V16000 pF @ 40 V16011 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），300W（Tc）3.8W（Ta），319W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）3.8W（Ta），395W（Tc）210W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5.75）PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-16-U01PG-HSOF-8-1PG-HSOF-8-10PG-HSOG-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
TPH3R10AQM,LQ
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Toshiba Semiconductor and Storage
2,755
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.60201
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
3.1 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 500µA
83 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 50 V
-
210W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
15,829
现货
1 : ¥56.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.89270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
2,469
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
PG-HSOG-8-1 Bottom View
IPTG014N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Infineon Technologies
663
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.93837
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37A（Ta），366A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Infineon Technologies
1,416
现货
1 : ¥51.55000
剪切带（CT）
1,800 : ¥29.24288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Ta），279A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
160 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
867
现货
1 : ¥52.05000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.92037
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Ta），315A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 267µA
242 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-10
8-PowerSFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Infineon Technologies
1,608
现货
1 : ¥50.73000
剪切带（CT）
1,800 : ¥28.78061
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
37A（Ta），330A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 230µA
180 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
3,765
现货
1 : ¥53.11000
剪切带（CT）
1,800 : ¥30.11887
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
260A（Tj）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
166 nC @ 10 V
±20V
11830 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC012N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Infineon Technologies
3,813
现货
1 : ¥63.46000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.01491
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Ta），396A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
219 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥59.19000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.58033
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37A（Ta），365A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥65.67000
剪切带（CT）
1,800 : ¥37.24617
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥60.91000
剪切带（CT）
1,800 : ¥34.55414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
32A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3.8W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。