Name: IPD35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 13.22 CNY
Availability: InStock

IPD35N10S3L26ATMA1
DigiKey 零件编号	IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPD35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD35N10S3L26ATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPD35N10S3L26ATMA1 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 39µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2700 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	71W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3-11
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	IPD35N10