35A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 263
制造商
Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolSiC™DeepGATE™, STripFET™ VIIDTMOSIVEE-SeriesFDmesh™FDmesh™ IIFRFET®, SuperFET® II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V25 V30 V40 V55 V60 V80 V85 V100 V110 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V10V10V,15V15V15V,18V18V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.25 毫欧 @ 20A,10V3.3 毫欧 @ 10A,10V3.5 毫欧 @ 15A,4.5V3.7 毫欧 @ 20A,10V3.7 毫欧 @ 26.1A,4.5V3.8 毫欧 @ 15A,4.5V3.8 毫欧 @ 20A,10V3.9 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 35A,10V4.4 毫欧 @ 20A,10V4.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 130µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V12.4 nC @ 10 V13 nC @ 5 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 5 V18 nC @ 10 V18.2 nC @ 10 V19.7 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V±8V±10V±12V+15V,-4V+16V,-10V±16V+18V,-8V±18V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-2V±20V+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
544 pF @ 50 V660 pF @ 600 V680 pF @ 25 V725 pF @ 25 V800 pF @ 25 V800 pF @ 50 V838 pF @ 1000 V845 pF @ 13 V870 pF @ 25 V872 pF @ 25 V885 pF @ 25 V930 pF @ 400 V
FET 功能
-温度检测二极管肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1W(Ta),77W(Tc)1W(Ta),97W(Tc)1.3W(Ta)2W(Ta),44W(Tc)2W(Ta),72.6W(Tc)3W(Ta),73W(Tc)3.2W3.5W(Ta),50W(Tc)3.7W(Ta),39W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)3.78W(Ta),52W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(4.9x5.75)8-HSON8-HSON(5x5.4)8-HSOP8-PDFN(SPR-PAK )(3.3x3.3)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(5.1x5.71)8-QFN(3x3)D2PAKD2PAK-7D2PAK(TO-263)
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线裸焊盘8-VDFN 裸露焊盘DirectFET™ 等距 L8ISOPLUS220™PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
263结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 263
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
201,278
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.61673
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
12.3 毫欧 @ 13.9A,10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
64,441
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.24490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
35A(Tc)
2.5V,10V
4.4 毫欧 @ 20A,10V
1.5V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
11,741
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.16900
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
35A(Tc)
4.5V,10V
7.6 毫欧 @ 16.2A,10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
24,067
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.66698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
10,257
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.07441
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
8,364
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.56124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
35A(Tc)
5V,10V
28 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
53,839
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20620
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
35A(Tc)
4.5V,10V
11.7 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
5,852
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.24469
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
35A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 17.5A,10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
80W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
6,343
现货
1 : ¥26.76000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.51310
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
D2Pak
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
STMicroelectronics
2,790
现货
1 : ¥52.54000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.79698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
35A(Tc)
10V
84 毫欧 @ 17.5A,10V
5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-F
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
1,149
现货
1 : ¥61.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
35A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 19.5A,10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
D2Pak
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STMicroelectronics
3,331
现货
1 : ¥62.88000
剪切带(CT)
1,000 : ¥35.64778
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
35A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 19.5A,10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IPP60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
Infineon Technologies
678
现货
1 : ¥64.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
35A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 400 V
-
162W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
894
现货
1 : ¥64.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
35A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 19.5A,10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STMicroelectronics
1,560
现货
1 : ¥68.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
35A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 19.5A,10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 100 V
-
210W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0065090J
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
4,286
现货
1 : ¥161.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
30 nC @ 15 V
+19V,-8V
660 pF @ 600 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2,211
现货
1 : ¥161.97000
剪切带(CT)
800 : ¥111.81008
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
30 nC @ 15 V
+19V,-8V
660 pF @ 600 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0065100J
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2,226
现货
1 : ¥175.11000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1000 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
35 nC @ 15 V
+15V,-4V
660 pF @ 600 V
-
113.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
718
现货
1 : ¥175.11000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1000 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
35 nC @ 15 V
+19V,-8V
660 pF @ 600 V
-
113.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-252 D-Pak Top
DMPH6023SK3-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Diodes Incorporated
2,569
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.85209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
35A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
3.2W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
21,606
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.46280
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,323
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.22559
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
11.4 毫欧 @ 14.4A,10V
2.8V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3345 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52.1W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS454DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,686
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
35A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
9,360
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.50851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
35A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7629DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
22,617
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.62169
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
35A(Tc)
2.5V,10V
4.6 毫欧 @ 20A,10V
1.5V @ 250µA
177 nC @ 10 V
±12V
5790 pF @ 10 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
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表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
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35A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。