单 FET,MOSFET

结果 : 3,081
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOGeneSiC SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.MaxLinear, Inc.Micro Commercial Co
系列
-aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)34mA(Ta)40mA(Ta)50mA(Ta)51mA(Ta)53mA(Ta)80mA(Ta)90mA(Ta)100mA(Ta)120mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V4.5V,10V5V,10V8V10V10V,12V10V,15V12V15V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7mOhm @ 100A, 10V10 毫欧 @ 50A,12V15 毫欧 @ 58.2A,10V16mOhm @ 62.5A, 10V17 毫欧 @ 29A,12V17 毫欧 @ 58.2A,10V17.9 毫欧 @ 37.5A,10V18 毫欧 @ 50A,10V18 毫欧 @ 58.2A,10V18 毫欧 @ 71.5A,10V19 毫欧 @ 37.5A,10V20 毫欧 @ 42.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 8µA1V @ 94µA1.4V @ 8µA1,6V @ 2,6mA1,6V @ 960µA1.6V @ 530µA1.6V @ 690µA1.6V @ 8µA2V @ 250µA2.3V @ 94µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.15 nC @ 10 V0.65 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V1.08 nC @ 10 V1.1 nC @ 10 V1.18 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V1.7 nC @ 10 V2 nC @ 5 V2.1 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
-10V±15V±18V±20V20V±25V25V+30V,-20V±30V30V±32V±45V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6 pF @ 25 V9.5 pF @ 25 V15 pF @ 25 V21 pF @ 25 V21.8 pF @ 25 V25 pF @ 25 V28 pF @ 25 V30.9 pF @ 25 V37.5 pF @ 25 V45 pF @ 25 V51.42 pF @ 25 V64 pF @ 100 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
125mW(Ta),3W(Tc)500mW(Ta)610mW(Ta)750mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),20W(Tc)1W(Ta),38W(Tc)1W(Ta),3W(Tc)1.04W(Ta),45W(Tc)1.04W(Ta),53W(Tc)1.04W(Ta),68W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 225°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)4-DFN-EP(8x8)4-DFN(8x8)4-HVMDIP4-PQFN(8x8)4-TDFN(8x8)8-DFN-EP(5x6)8-SO8-SOIC8-SOP8-ThinPak(5x6)14-PowerFLAT™(5x5)
封装/外壳
3-PowerDFN4-DIP(0.300",7.62mm)4-PowerDFN4-PowerLSFN4-PowerTSFN4-PowerVSFN4-VSFN 裸露焊盘8-LDFN 裸焊盘8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,081结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3,081
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,359
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21mA(Ta)
4.5V,10V
500 欧姆 @ 16mA,10V
2.6V @ 8µA
1 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT223-3
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
11,209
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.53371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO-252, (D-Pak)
AOD1N60
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
42,915
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.58999
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.3A(Tc)
10V
9 欧姆 @ 650mA,10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
6,586
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.95320
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT223-3L
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
onsemi
6,940
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.27459
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
200mA(Tc)
10V
11.5 欧姆 @ 100mA,10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN1NK60Z
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
STMicroelectronics
13,816
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.35730
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
300mA(Tc)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
30,527
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.62193
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
400mA(Tc)
10V
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-252AA
FDD5N60NZTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
onsemi
41,724
现货
22,500
工厂
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.85510
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
600 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFRC20TRPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Vishay Siliconix
10,878
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.20260
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2A(Tc)
10V
4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Vishay Siliconix
3,803
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2A(Tc)
10V
4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
3,461
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.22408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223-4
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Infineon Technologies
52,702
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.74440
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
120mA(Ta)
0V,10V
45 欧姆 @ 120mA,10V
1V @ 94µA
4.9 nC @ 5 V
±20V
146 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
10,171
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.23708
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
35,667
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.57664
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FCD5N60TM
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
onsemi
4,925
现货
2,500
工厂
1 : ¥13.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.23983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.6A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 2.3A,10V
5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Infineon Technologies
4,993
现货
1 : ¥14.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.43172
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10.6A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 3.8A,10V
4.5V @ 320µA
19 nC @ 10 V
±20V
877 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Infineon Technologies
4,999
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.65693
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11.3A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 4.5A,10V
4.5V @ 370µA
22 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 100 V
-
89.3W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-ThinPak(5x6)
8-PowerTDFN
TO-252AA
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
onsemi
16,437
现货
1 : ¥15.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.15408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7.4A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.7A,10V
3.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1120 pF @ 25 V
-
89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
6,169
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.38899
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223-4
BSP135H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Infineon Technologies
14,742
现货
1 : ¥16.67000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.90094
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
120mA(Ta)
0V,10V
45 欧姆 @ 120mA,10V
1V @ 94µA
4.9 nC @ 5 V
±20V
146 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,842
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.28056
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
10,686
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.94040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
399 毫欧 @ 3.8A,10V
4.1V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
545 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
4,791
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.29109
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FCD7N60TM
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
onsemi
5,919
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.34734
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
920 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5NM60T4
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
8,072
现货
1 : ¥20.20000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.11490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 2.5A,10V
5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
400 pF @ 25 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。