单 FET,MOSFET

结果 : 11,351
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHoneywell AerospaceInfineon Technologies
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™C3M™Cool MOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
10 V12 V16 V16.5 V20 V24 V25 V28 V30 V33 V34 V35 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10mA(Ta)30mA(Tj)45mA(Ta)50mA50mA(Ta)50mA(Tj)54mA(Tj)70mA(Ta)86mA(Tj)90mA(Ta)100mA(Ta)100mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V1.5V,4V1.8V,4.5V2V,2.8V2V,5V2.4V,10V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V2.6V,10V2.6V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 100A,10V1.25 毫欧 @ 100A,10V1.28 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 195A,10V1.3 毫欧 @ 25A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 25A,10V1.47 毫欧 @ 90A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 195A,10V1.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 2mA(最小)700mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA1.3V @ 100µA1.4V @ 1mA1.5V @ 1mA1.5V @ 1µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4 nC @ 4.5 V1 nC @ 5 V1.1 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.43 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V1.57 nC @ 10 V1.8 nC @ 5 V2 nC @ 10 V2 nC @ 5 V2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V-6.5V+5V,-16V±8V+10V,-8V±10V10V±12V+15V,-4V+15V,-5V±15V15V,12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3.5 pF @ 15 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V10 pF @ 25 V25 pF @ 25 V35 pF @ 18 V40 pF @ 10 V40 pF @ 25 V43 pF @ 25 V45 pF @ 25 V45 pF @ 10 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
160mW250mW(Ta)250mW(Tc)300mW(Ta)300mW(Tc)350mW(Ta)350mW(Tc)360mW(Tc)375mW375mW(Ta)400mW(Ta)400mW(Ta),1W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-PRF-19500/630
供应商器件封装
3-SPA4-HVMDIP4-电源接片8-CDIP-EP264 MAX™ [L2]-DO-35DPAK3(IPAK)E-Line(TO-92 兼容)HiP247™HiP247™ 长引线I2PAK
封装/外壳
3-SIP4-DIP(0.300",7.62mm)4-SIP8-CDIP 裸露焊盘-DO-204AH,DO-35,轴向E-Line-3E-Line-3,成型引线i4-Pac™-5i4-Pac™-5(3 引线)ISOPLUS220™ISOPLUSi5-PAK™
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11,351结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 11,351
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
16,099
现货
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
6,510
现货
1 : ¥4.43000
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Tj)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW(Ta),1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
7,121
现货
1 : ¥4.93000
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
30mA(Tj)
0V
1000 欧姆 @ 500µA,0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
61,382
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IPAK (TO-251)
IRLU024NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Infineon Technologies
5,850
现货
1 : ¥6.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
4V,10V
65 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,115
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
33,524
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
139,653
现货
1 : ¥7.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
49,955
现货
1 : ¥7.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
95A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 57A,10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
IPAK (TO-251)
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Infineon Technologies
14,796
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-92
ZVN4424A
MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,126
现货
48,000
工厂
1 : ¥9.19000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
2.5V,10V
5.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
4,033
现货
1 : ¥9.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
22W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
13,155
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
47A(Tc)
4V,10V
22 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
22,941
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
3,919
现货
1 : ¥11.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRL540NPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon Technologies
19,202
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
36A(Tc)
4V,10V
44 毫欧 @ 18A,10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Infineon Technologies
38,984
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
27,351
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
5,378
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
10V
117 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Vishay Siliconix
33,894
现货
1 : ¥11.90000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
28A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
4-DIP
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
49,648
现货
1 : ¥12.40000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1A(Ta)
10V
600 毫欧 @ 600mA,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
TO-220AB
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Vishay Siliconix
6,469
现货
1 : ¥12.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
22,261
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 62A,10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
4-DIP
IRFD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
20,704
现货
1 : ¥13.30000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1A(Ta)
10V
540 毫欧 @ 600mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
TO-220AB PKG
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Infineon Technologies
6,738
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 11,351

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。