Name: LND150N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N3-G-ND
Price: 4.96 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1000 欧姆 @ 500µA，0V
制造商 Microchip Technology	Vgs（最大值） ±20V
包装袋	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 740mW（Ta）
FET 类型 N 沟道，耗尽型	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 500 V	供应商器件封装 TO-92-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30mA（Tj）	封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V	基本产品编号 LND150