Name: SISA26DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA26DN-T1-GE3TR-ND
Price: 6.57 CNY
Availability: InStock

SISA26DN-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SISA26DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SISA26DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SISA26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SISA26DN-T1-GE3
描述	MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 60A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK® 1212-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SISA26DN-T1-GE3 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.65 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2247 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	39W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8
基本产品编号	SISA26

SISA26DN-T1-GE3