60A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 405
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon Technologies Canada Inc.IXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip Technology
系列
-CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™EEFHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarHT™HiPerFET™, Q2 ClassHiPerFET™, Ultra X
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V24 V25 V28 V30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V3V,8V4.5V,10V5V,10V6V6V,10V6.5V,10V7V,10V7.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.76 毫欧 @ 15A,10V0.9 毫欧 @ 30A,10V0.96 毫欧 @ 15A,10V1.1 毫欧 @ 15A,10V1.17 毫欧 @ 20A,10V1.2 毫欧 @ 15A,10V1.2 毫欧 @ 20A,10V1.4 毫欧 @ 15A,10V1.4 毫欧 @ 20A,10V1.4 毫欧 @ 25A,10V1.45 毫欧 @ 20A,10V1.52 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.7V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 14µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 10 V8.4 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 4.5 V10.7 nC @ 10 V12.1 nC @ 6 V13.7 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V14 nC @ 6 V14.5 nC @ 10 V16 nC @ 10 V16.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-8V±10V±12V±15V+16V,-12V±16V+18V,-5V+20V,-16V±20V+22V,-10V±22V+25V,-10V+25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
516 pF @ 400 V520 pF @ 400 V702 pF @ 12 V890 pF @ 12.5 V1035 pF @ 30 V1042 pF @ 25 V1150 pF @ 30 V1155 pF @ 15 V1179 pF @ 25 V1190 pF @ 10 V1222 pF @ 50 V1229 pF @ 400 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),132W(Tc)1W(Ta)1.2W(Ta),105W(Tc)1.6W(Ta),78W(Tc)1.8W(Ta)1.8W(Ta),105W(Tc)1.8W(Ta),88W(Tc)2W(Ta)2W(Ta),75W(Tc)2.3W(Ta)2.4W(Ta),330W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-HSOP8-PDFN(3.3x3.3)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(3.1x3.1)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-QFN(5x6)8-SOIC-EP8-SOP Advance(5x5)8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-VSONP(3x3.3)10-PolarPAK®(L)
封装/外壳
4-SMD,无引线6-SMD,无引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘10-PolarPAK®(L)10-PolarPAK®(M)12-BESOP(0.370",9.40mm 宽),裸焊盘ISOPLUS220™PowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
405结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 405
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
18,558
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.73223
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
4.02 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
39,924
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.82881
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 12A,10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,800
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.89475
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
+20V,-16V
2650 pF @ 10 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,890
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
+20V,-16V
2425 pF @ 15 V
-
5W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR664DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21,200
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.72808
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
-
6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
-
1750 pF @ 30 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
16,612
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.48679
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
2.5V,4.5V
1.7 毫欧 @ 30A,4.5V
1.2V @ 1mA
182 nC @ 5 V
±12V
10900 pF @ 10 V
-
78W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ409EP-T2_GE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
20,202
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.88024
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,393
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.87572
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN012-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,480
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.22021
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
64 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 50 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,497
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.55130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 6.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
PowerDI5060-8
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
1,985
现货
127,500
工厂
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.67371
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
3505 pF @ 30 V
-
2.6W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,772
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.91081
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
7.5V,10V
2.8 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 30 V
-
69.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
12,677
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.50045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 30 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
DPAK
STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
STMicroelectronics
4,708
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.19047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
60A(Tc)
5V,10V
15 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
40 nC @ 5 V
±15V
1950 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SIR158DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,844
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.72685
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4980 pF @ 15 V
-
5.4W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR440DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,923
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.16796
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.55 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,494
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.93989
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
8650 pF @ 15 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7145DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
55,213
现货
1 : ¥18.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.16045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
413 nC @ 10 V
±20V
15660 pF @ 15 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,651
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.18800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
2.5V,10V
1.95 毫欧 @ 25A,10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
20000 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
29,153
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.27070
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
MBRD6100CT-TP
MCU60P06-TP
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Micro Commercial Co
9,721
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.83421
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
5814 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,248
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.03513
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5660 pF @ 20 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,536
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.19974
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
10V
6.25 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2830 pF @ 30 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,918
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.67032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
2870 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7174DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
412
现货
1 : ¥25.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.19340
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
60A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
2770 pF @ 40 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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60A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。