SIS590DN-T1-GE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | 742-SIS590DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) 742-SIS590DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) 742-SIS590DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIS590DN-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET N/P-CH 100V 2.7A PPAK1212 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 100V 2.7A(Ta),4A(Tc),2.3A(Ta),4A(Tc) 2.5W(Ta),17.9W(Tc),2.6W(Ta),23.1W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双 | |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | N 和 P 沟道 | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A(Ta),4A(Tc),2.3A(Ta),4A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 167 毫欧 @ 1.5A,10V,251 毫欧 @ 2.3A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 265pF 2 50V,325pF @ 50V | |
功率 - 最大值 | 2.5W(Ta),17.9W(Tc),2.6W(Ta),23.1W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
基本产品编号 |
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