SIS590DN-T1-GE3

DigiKey 零件编号
742-SIS590DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
742-SIS590DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
742-SIS590DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SIS590DN-T1-GE3
描述
MOSFET N/P-CH 100V 2.7A PPAK1212
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 100V 2.7A(Ta),4A(Tc),2.3A(Ta),4A(Tc) 2.5W(Ta),17.9W(Tc),2.6W(Ta),23.1W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A(Ta),4A(Tc),2.3A(Ta),4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
167 毫欧 @ 1.5A,10V,251 毫欧 @ 2.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
265pF 2 50V,325pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W(Ta),17.9W(Tc),2.6W(Ta),23.1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 双
基本产品编号