Name: SIR582DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR582DP-T1-RE3TR-ND
Price: 13.13 CNY
Availability: OutOfStock

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SIR582DP-T1-RE3
DigiKey 零件编号	742-SIR582DP-T1-RE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SIR582DP-T1-RE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SIR582DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIR582DP-T1-RE3
描述	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
原厂标准交货期	46 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 28.9A（Ta），116A（Tc） 5.6W（Ta），92.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen V
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	28.9A（Ta），116A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.4 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3360 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.6W（Ta），92.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8