SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix | 分立半导体产品

SIB412DK-T1-E3
DigiKey 零件编号	SIB412DK-T1-E3TR-ND - 卷带（TR） SIB412DK-T1-E3CT-ND - 剪切带（CT） SIB412DK-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIB412DK-T1-E3
描述	MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 20 V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK® SC-75-6

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	34 毫欧 @ 6.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10.16 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	535 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.4W（Ta），13W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SC-75-6
封装/外壳	PowerPAK® SC-75-6
基本产品编号	SIB412

SIB412DK-T1-E3