IRF640PBF

DigiKey 零件编号
IRF640PBF-ND
制造商
制造商产品编号
IRF640PBF
描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 200 V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRF640PBF 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
散装
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥15.68000¥15.68
50¥12.62600¥631.30
100¥10.38810¥1,038.81
1,000¥7.45819¥7,458.19
5,000¥6.81888¥34,094.40
10,000¥6.59313¥65,931.30
Manufacturers Standard Package