类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 40 nC @ 10 V
系列 QFET®	Vgs（最大值） ±30V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1600 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 140W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 200 V	供应商器件封装 TO-220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19.4A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FQP19
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 150 毫欧 @ 9.7A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRF640NPBF	Infineon Technologies	27,309	IRF640NPBF-ND	¥494.00000	类似
IRF640PBF	Vishay Siliconix	0	IRF640PBF-ND	¥730.00000	类似
PJP18N20_T0_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJP18N20_T0_00001-ND	¥98.17850	类似
STP19NF20	STMicroelectronics	1,491	497-7514-5-ND	¥334.00000	类似
STP20NF20	STMicroelectronics	1,009	497-5812-5-ND	¥384.00000	类似

FQP19N20

在 Digi-Key 的其他供应商