Name: TPN22006NH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN22006NHLQTR-ND
Price: 7.48 CNY
Availability: InStock

TPN22006NH,LQ
DigiKey 零件编号	TPN22006NHLQTR-ND - 卷带（TR） TPN22006NHLQCT-ND - 剪切带（CT） TPN22006NHLQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPN22006NH,LQ
描述	MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 9A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TPN22006NH,LQ 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	22 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	710 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），18W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	TPN22006

TPN22006NH,LQ