Name: TSM130NB06CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM130NB06CRRLGTR-ND
Price: 7.4 CNY
Availability: InStock

TSM130NB06CR RLG
DigiKey 零件编号	TSM130NB06CRRLGTR-ND - 卷带（TR） TSM130NB06CRRLGCT-ND - 剪切带（CT） TSM130NB06CRRLGDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号	TSM130NB06CR RLG
描述	MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 10A（Ta），51A（Tc） 3.1W（Ta），83W（Tc） 8-PDFN（5.2x5.75）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TSM130NB06CR RLG 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta），51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2380 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PDFN（5.2x5.75）
封装/外壳	8-PowerLDFN
基本产品编号	TSM130

TSM130NB06CR RLG