设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
SCTW35N65G2VAG 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
类似
类似
类似
类似
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SCTW35N65G2VAG | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTW35N65G2VAG-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW35N65G2VAG |
描述 | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
原厂标准交货期 | 32 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 45A（Tc） 240W（Tc） HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW35N65G2VAG 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V，20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67毫欧 @ 20A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +22V，-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 240W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
0 现货
查看交期
申请库存通知
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥120.08000 | ¥120.08 |
| 30 | ¥75.95267 | ¥2,278.58 |
| 120 | ¥72.80033 | ¥8,736.04 |
| 510 | ¥69.88559 | ¥35,641.65 |
您可能还对以下元器件感兴趣查看全部
15 种货品
替代品 (4)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 73 | MSC060SMA070B-ND | ¥569.92000 | 类似 |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | ¥1,106.62000 | 类似 |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | ¥919.20000 | 类似 |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | ¥780.34000 | 类似 |
其他资源
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-SCTW35N65G2VAG |
| 标准包装 | 30 |
中国