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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4,3V @ 2,5mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34 nC @ 20 V |
包装 管件 | Vgs(最大值) +25V,-15V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 665 pF @ 800 V |
FET 类型 | 功率耗散(最大值) 119W(Tc) |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) |
漏源电压(Vdss) 1200 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-247-3 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 224毫欧 @ 12A,20V | 基本产品编号 |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥84.35000 | ¥84.35 |
| 30 | ¥49.69167 | ¥1,490.75 |
| 120 | ¥42.08808 | ¥5,050.57 |
| 510 | ¥36.51755 | ¥18,623.95 |
| 1,020 | ¥35.72533 | ¥36,439.84 |




