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NTHL040N120M3S 没有现货，但可以进行缺货下单。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 10mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 75 nC @ 18 V |
包装 管件 | Vgs（最大值） +22V，-10V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1700 pF @ 800 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 231W（Tc） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 1200 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-247-3 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 54 毫欧 @ 20A，18V |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| TW030N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-TW030N120CS1F-ND | ¥133.06000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥97.50000 | ¥97.50 |
| 30 | ¥58.13533 | ¥1,744.06 |
| 120 | ¥49.50833 | ¥5,941.00 |
| 510 | ¥43.19208 | ¥22,027.96 |
| 1,020 | ¥43.18900 | ¥44,052.78 |
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