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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW100N65G2AG |
描述 | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 420W（Tc） HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW100N65G2AG 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 162 nC @ 18 V |
制造商 | Vgs（最大值） +22V，-10V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3315 pF @ 520 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 420W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ） |
技术 | 等级 汽车级 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 资质 AEC-Q101 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 安装类型 通孔 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V | 供应商器件封装 HiP247™ |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 26 毫欧 @ 50A，18V | 封装/外壳 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 5mA | 基本产品编号 |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | ¥147.86000 | 类似 |
| SCT3022ALGC11 | Rohm Semiconductor | 1,150 | SCT3022ALGC11-ND | ¥438.30000 | 类似 |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | ¥128.43000 | 类似 |
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