GCMX080A120B2H1P

DigiKey 零件编号
1560-GCMX080A120B2H1P-ND
制造商
SemiQ
制造商产品编号
GCMX080A120B2H1P
描述
SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 27A（Tc） 119W（Tc） 底座安装
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
SemiQ
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
4 N 沟道（全桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1362pF @ 800V
功率 - 最大值
119W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
-
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥348.51000¥348.51
10¥310.56200¥3,105.62
30¥292.06900¥8,762.07
80¥272.59638¥21,807.71
230¥262.86091¥60,458.01
Manufacturers Standard Package
Note: Due to DigiKey value-add services the packaging type may change when product is purchased at quantities beneath the standard package.
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