产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
类别 | ||
制造商 | SemiQ | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅(SiC) | |
配置 | 4 N 沟道(全桥) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 53A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 40A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 10mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 125nC @ 20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3200pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 208W(Tc) | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | - |
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
1 | ¥507.58000 | ¥507.58 |
10 | ¥461.41500 | ¥4,614.15 |
30 | ¥446.03833 | ¥13,381.15 |
80 | ¥415.27700 | ¥33,222.16 |
Manufacturers Standard Package
您可能还对以下元器件感兴趣
1 种货品