Name: NP36P06KDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP36P06KDG-E1-AYTR-ND
Price: 17.81 CNY
Availability: InStock

NP36P06KDG-E1-AY
DigiKey 零件编号	559-NP36P06KDG-E1-AYTR-ND - 卷带（TR） 559-NP36P06KDG-E1-AYCT-ND - 剪切带（CT） 559-NP36P06KDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	NP36P06KDG-E1-AY
描述	MOSFET P-CH 60V 36A TO263
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NP36P06KDG-E1-AY 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	29.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3100 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），56W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	NP36P06