Renesas Electronics Corporation 单 FET，MOSFET

结果 : 501
系列
-*
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
5.5 V12 V16 V20 V30 V40 V43 V55 V60 V75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）200mA（Ta）300mA（Ta）400mA（Ta）400mA（Tj）800mA（Ta）900mA（Ta）1A（Ta）2A（Ta）2.4A（Ta）2.5A（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，4V2.5V，8V3V，4V3.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V5V，10V5.5V，10V6V，10V7V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.85 毫欧 @ 125A，10V1.05 毫欧 @ 90A，10V1.25 毫欧 @ 80A，10V1.25 毫欧 @ 90A，10V1.4 毫欧 @ 55A，10V1.4 毫欧 @ 90A，10V1.5 毫欧 @ 55A，10V1.5 毫欧 @ 90A，10V1.75 毫欧 @ 55A，10V1.75 毫欧 @ 90A，10V1.8 毫欧 @ 25A，10V1.8 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 1mA800mV @ 1mA800mV @ 250µA900mV @ 1mA1.2V @ 1mA1.4V @ 1mA1.5V @ 1mA2V @ 1mA2.2V @ 1mA2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4 V3 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.5 nC @ 4 V3.7 nC @ 10 V3.7 nC @ 4 V3.7 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+3V，-16V±5V±5.5V+8V，-12V±8V+10V，-20V±10V+12V，-5V±12V±15V+16V，-12V+20V，-25V±20V+30V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 0 V22 pF @ 0 V25 pF @ 25 V37.5 pF @ 25 V66 pF @ 25 V76 pF @ 0 V80 pF @ 25 V98 pF @ 10 V102 pF @ 0 V140 pF @ 25 V165 pF @ 25 V170 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）750mW（Ta）800mW（Ta）900mW（Ta）1W（Ta）1W（Ta），102W（Tc）1W（Ta），120W（Tc）1W（Ta），138W（Tc）1W（Ta），23W（Tc）1W（Ta），25W（Tc）1W（Ta），30W（Tc）1W（Ta），36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
2-HWSON（5x4）3-MPAK5-LFPAK6-CMFPAK6-HUSON（2x2）6-WLCSP（1.47x1.47）8-HSON8-HSON（5x5.4）8-HVSON（3.3x3.3）8-HVSON（5x5.4）8-HWSON（3.3x3.3）8-SOP
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘6-SMD，扁平引线6-SMD，无引线6-WFDFN 裸露焊盘8-PowerLDFN8-PowerSOIC（0.173"，4.40mm 宽）8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD，扁平引线裸焊盘8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
501结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 501
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
21,275
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.55040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 12.5A，10V
-
15 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
15,436
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.25969
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
-
16.5 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
-
5000 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），84W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
17,269
现货
1 : ¥76.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
4A（Ta）
15V
7 欧姆 @ 2A，15V
-
-
±20V
1700 pF @ 10 V
-
125W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
7,983
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.25954
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
4V，10V
130 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 10 V
-
1W（Ta），23W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
17,198
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.55792
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），38W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
12,688
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.55792
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），38W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
15,656
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.16092
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 7.5A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），30W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
12,462
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.16092
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 7.5A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），30W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8,118
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.23060
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 18A，10V
-
52 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
10,833
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.35190
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
36A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,742
现货
1 : ¥17.81000
剪切带（CT）
800 : ¥9.94604
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
29.5 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 1mA
54 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8,894
现货
1 : ¥18.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.40306
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），84W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,388
现货
1 : ¥18.64000
剪切带（CT）
800 : ¥10.42485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
36A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
6,239
现货
1 : ¥19.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.78902
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
75A（Tc）
5V，10V
6.2 毫欧 @ 37.5A，10V
2.5V @ 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W（Ta），138W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD，扁平引线裸焊盘
15,314
现货
1 : ¥19.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.86619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
75A（Tc）
5V，10V
9.7 毫欧 @ 37.5A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W（Ta），138W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD，扁平引线裸焊盘
4,073
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.39553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 10A，10V
-
29 nC @ 4.5 V
±20V
4160 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
2,500
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.39553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
45A（Ta）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 22.5A，10V
-
26 nC @ 4.5 V
±20V
4030 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
4,895
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
800 : ¥12.87369
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），90W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
4,041
现货
1 : ¥23.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.42328
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 1mA
42 nC @ 4.5 V
±20V
6380 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
0
现货
查看交期
1 : ¥23.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.58651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）
10V
14 毫欧 @ 12.5A，10V
-
41 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
800
现货
1 : ¥42.20000
剪切带（CT）
800 : ¥25.47135
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
320 nC @ 10 V
±20V
15100 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），200W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
292
现货
1 : ¥42.52000
剪切带（CT）
800 : ¥25.68356
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
300 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），200W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
555
现货
1 : ¥52.70000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2A（Ta）
15V
12 欧姆 @ 1A，15V
4V @ 1mA
-
±20V
990 pF @ 10 V
-
50W（Tc）
150°C
-
-
通孔
TO-3PFM
TO-220-3 整包
TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A
2SK1317-E
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Renesas Electronics Corporation
5,437
现货
1 : ¥54.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2.5A（Ta）
15V
12 欧姆 @ 2A，15V
-
-
±20V
990 pF @ 10 V
-
100W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
5,000
现货
5,000 : ¥3.81572
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta）
4.5V，10V
6.3 毫欧 @ 12.5A，10V
-
10.4 nC @ 4.5 V
±20V
1890 pF @ 10 V
-
15W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HWSON（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
/ 501

Renesas Electronics Corporation 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。