NDF08N60ZG 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似

FQPF7N60
onsemi
现货: 19
单价: ¥22.58000
规格书

类似

R6004ENX
Rohm Semiconductor
现货: 104
单价: ¥9.11000
规格书

类似

R6008FNX
Rohm Semiconductor
现货: 777
单价: ¥27.50000
规格书

类似

STF10N65K3
STMicroelectronics
现货: 872
单价: ¥14.29000
规格书

类似

STF6N60M2
STMicroelectronics
现货: 101
单价: ¥12.23000
规格书

类似

STF7N60M2
STMicroelectronics
现货: 1,931
单价: ¥6.90000
规格书

类似

STP9NK60ZFP
STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥12.89000
规格书
查看所有替代品并进行比较

NDF08N60ZG

DigiKey 零件编号
NDF08N60ZGOS-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
NDF08N60ZG
描述
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 8.4A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
950 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1140 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
NDF08