8.4A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CEEFQFET®SuperMESH3™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V220 V400 V600 V620 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
155 毫欧 @ 5A,10V193 毫欧 @ 9.5A,10V200 毫欧 @ 4.2A,10V220 毫欧 @ 4.2A,5V270 毫欧 @ 5.9A,10V300 毫欧 @ 4.2A,10V320 毫欧 @ 2.3A,10V750 毫欧 @ 4A,10V800 毫欧 @ 2A,10V950 毫欧 @ 3.5A,10V1.55 欧姆 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 170µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 10 V15 nC @ 5 V17.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V32 nC @ 10 V39 nC @ 10 V42 nC @ 10 V45 nC @ 10 V58 nC @ 10 V131 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
350 pF @ 25 V373 pF @ 100 V440 pF @ 25 V450 pF @ 25 V480 pF @ 25 V645 pF @ 15 V1081 pF @ 100 V1140 pF @ 25 V1250 pF @ 50 V1370 pF @ 25 V2050 pF @ 25 V2780 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta),20.8W(Tc)2W(Ta),25W(Tc)2.5W(Ta),32W(Tc)2.5W(Ta),35W(Tc)3.8W(Ta),52W(Tc)27W(Tc)30W(Tc)36W(Tc)49W(Tc)50W(Tc)74W(Tc)125W(Tc)156W(Tc)220W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
I2PAKIPAKPG-TO220-FPPG-TO252-3-344PowerPAK® 1212-8TO-220 整包TO-220TO-220-2 整包TO-220F-3TO-220FPTO-247ACTO-252TO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 全封装,I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果
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/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD08P06-155L-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Vishay Siliconix
18,203
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.4A(Tc)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.7W(Ta),20.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
SIHB186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Vishay Siliconix
2,075
现货
1 : ¥23.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
193 毫欧 @ 9.5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1081 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
SIHG186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Vishay Siliconix
309
现货
1 : ¥27.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
193 毫欧 @ 9.5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1081 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
2,503
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.73171
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 2A,10V
3.5V @ 170µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
373 pF @ 100 V
-
74W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LM7812TP
SIHA186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Vishay Siliconix
1,900
现货
1 : ¥22.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
193 毫欧 @ 9.5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1081 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
NDF08N60ZH
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 3.5A,10V
4.5V @ 100µA
58 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-2 整包
TO-220-3 整包
TO-220-3 Full Pack
NDF08N60ZG
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 3.5A,10V
4.5V @ 100µA
39 nC @ 10 V
±30V
1140 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
I2PakFP
STFI10N62K3
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
STMicroelectronics
1,495
现货
1 : ¥17.90000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
8.4A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 100µA
42 nC @ 10 V
±30V
1250 pF @ 50 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-281(I2PAKFP)
TO-262-3 全封装,I2PAK
TO-262-3 Long Leads
STI10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
STMicroelectronics
850
现货
1 : ¥17.16000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
8.4A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 100µA
42 nC @ 10 V
±30V
1250 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-220-3
STP10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
STMicroelectronics
812
现货
1 : ¥23.97000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
8.4A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 100µA
42 nC @ 10 V
±30V
1250 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-252
SUD08P06-155L-T4E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Vishay Siliconix
0
现货
2,000 : ¥3.23691
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.4A(Tc)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.7W(Ta),20.8W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPAN60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥4.61366
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 2A,10V
3.5V @ 170µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
373 pF @ 100 V
-
27W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-252
SUD08P06-155L-E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.12676
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.4A(Tc)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
2W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1,000 : ¥9.15876
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
8.4A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 100µA
42 nC @ 10 V
±30V
1250 pF @ 50 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
PowerPAK 1212-8
SI7302DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥10.36597
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
220 V
8.4A(Tc)
4.5V,10V
320 毫欧 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
645 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252AA
IRFR120_R4941
MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.4A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 5.9A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
I-PAK
IRFU120_R4941
MOSFET N-CH 100V 8.4A I-PAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.4A(Tc)
-
270 毫欧 @ 5.9A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
-
350 pF @ 25 V
-
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220F
IRFS750A
MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
8.4A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 4.2A,10V
4V @ 250µA
131 nC @ 10 V
±30V
2780 pF @ 25 V
-
49W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-3P-3,TO-247-3
FQA8N80C
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8.4A(Tc)
10V
1.55 欧姆 @ 4.2A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
2050 pF @ 25 V
-
220W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-252AA
IRFR120ATM
MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.4A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 4.2A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
480 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
I-PAK
IRFU120ATU
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.4A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 4.2A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
480 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252AA
IRLR120ATF
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.4A(Tc)
5V
220 毫欧 @ 4.2A,5V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±20V
440 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7302DN-T1-E3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
220 V
8.4A(Tc)
4.5V,10V
320 毫欧 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
645 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
/ 23

8.4A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。