PH3330L,115 NXP USA Inc. | 分立半导体产品

PH3330L,115
DigiKey 零件编号	PH3330L,115-ND - 卷带（TR）
制造商	NXP USA Inc.
制造商产品编号	PH3330L,115
描述	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	NXP USA Inc.
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4840 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	62.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669
基本产品编号	PH33

PH3330L,115