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MSCSM120DAM31CTBL1NG 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
参数等效
MSCSM120DAM31CTBL1NG | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | 150-MSCSM120DAM31CTBL1NG-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | MSCSM120DAM31CTBL1NG | |
描述 | PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 | |
原厂标准交货期 | 37 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 底座安装 N 通道 1200 V 79A 310W | |
规格书 | 规格书 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 40A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 232 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +25V，-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3020 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 310W | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
供应商器件封装 | - | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
散装
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥976.34000 | ¥976.34 |
| 100 | ¥725.37960 | ¥72,537.96 |
制造商标准包装
