79A 单 FET,MOSFET

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
27
现货
1 : ¥976.40000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
79A
20V
31 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 1mA
232 nC @ 20 V
+25V,-10V
3020 pF @ 1000 V
-
310W
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
-
模块
0
现货
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1 : ¥976.40000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
79A
20V
31 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 1mA
232 nC @ 20 V
+25V,-10V
3020 pF @ 1000 V
-
310W
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
-
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79A 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。