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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 178 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10500 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 480W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 75 V | 供应商器件封装 TO-263-7（IXTA） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 50A，10V |
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替代品 (14)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi | 0 | FDB045AN08A0-F085CT-ND | ¥37.13000 | 类似 |
| FDB050AN06A0 | onsemi | 625 | FDB050AN06A0CT-ND | ¥29.52000 | 类似 |
| IPB100N06S2L05ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND | ¥0.00000 | 类似 |
| IPB80N06S2H5ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND | ¥0.00000 | 类似 |
| IPB80N06S405ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB80N06S405ATMA1TR-ND | ¥0.00000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 300 | ¥43.61377 | ¥13,084.13 |
