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Infineon Technologies
现货: 166
单价: ¥22.91000
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Infineon Technologies
现货: 1,516
单价: ¥29.85000
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Infineon Technologies
现货: 4,177
单价: ¥22.91000
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onsemi
现货: 1,570
单价: ¥38.54000
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onsemi
现货: 4,309
单价: ¥35.64000
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IXYS
现货: 288
单价: ¥79.89000
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IXYS
现货: 347
单价: ¥75.67000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: ¥43.61377
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Renesas Electronics Corporation
现货: 3,148
单价: ¥32.34000
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Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: ¥9.29713
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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: ¥25.31000
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STMicroelectronics
现货: 842
单价: ¥49.45000
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表面贴装型 N 通道 60 V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
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IPB80N06S405ATMA1

DigiKey 零件编号
IPB80N06S405ATMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
IPB80N06S405ATMA1
描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
81 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6500 pF @ 25 V
包装
卷带(TR)
功率耗散(最大值)
107W(Tc)
零件状态
DigiKey 停止提供
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
FET 类型
等级
汽车级
技术
资质
AEC-Q101
漏源电压(Vdss)
60 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.4 毫欧 @ 80A,10V
基本产品编号
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 60µA
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (12)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPB80N06S405ATMA2Infineon Technologies166448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND¥22.91000直接
IRF1405STRLPBFInfineon Technologies1,516IRF1405STRLPBFCT-ND¥29.85000类似
IRF3205ZSTRLPBFInfineon Technologies4,177IRF3205ZSTRLPBFCT-ND¥22.91000类似
FDB070AN06A0onsemi1,570FDB070AN06A0CT-ND¥38.54000类似
FDB5800onsemi4,309FDB5800CT-ND¥35.64000类似
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