类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 230 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5660 pF @ 25 V
包装卷带（TR）	功率耗散（最大值） 300W（Tc）
零件状态 DigiKey 停止提供	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 55 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO263-3-2
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.4毫欧 @ 80A，10V	基本产品编号 IPB100N
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FDB050AN06A0	onsemi	625	FDB050AN06A0CT-ND	¥29.52000	类似
IXTA140N055T2	IXYS	0	238-IXTA140N055T2-ND	¥17.01000	类似
IXTA170N075T2	IXYS	0	IXTA170N075T2-ND	¥22.24297	类似
IXTA200N055T2	IXYS	532	IXTA200N055T2-ND	¥50.45000	类似
IXTA230N075T2-7	IXYS	0	IXTA230N075T2-7-ND	¥43.61377	类似

IPB100N06S2L05ATMA1