Name: FDB050AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB050AN06A0TR-ND
Price: 29.52 CNY
Availability: InStock

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FDB050AN06A0
DigiKey 零件编号	FDB050AN06A0TR-ND - 卷带（TR） FDB050AN06A0CT-ND - 剪切带（CT） FDB050AN06A0DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDB050AN06A0
描述	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
原厂标准交货期	45 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDB050AN06A0 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 80 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3900 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 245W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Ta），80A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 FDB050
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V

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替代品 (10)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
2SK3812-ZP-E1-AZ	Renesas Electronics Corporation	1,305	559-2SK3812-ZP-E1-AZCT-ND	¥61.03000	类似
BUK9675-55A,118	Nexperia USA Inc.	6,579	1727-7200-1-ND	¥16.21000	类似
IRFS3306TRLPBF	Infineon Technologies	7,718	IRFS3306TRLPBFCT-ND	¥36.22000	类似
IXFA230N075T2-7	IXYS	288	IXFA230N075T2-7-ND	¥79.89000	类似
IXTA200N055T2	IXYS	532	IXTA200N055T2-ND	¥50.45000	类似