IRF520N 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Infineon Technologies
现货: 3,092
单价: ¥7.55000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 1,647
单价: ¥9.28000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,889
单价: ¥12.56000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 7,733
单价: ¥21.59000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 6,068
单价: ¥18.64000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 15,797
单价: ¥14.37000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 11,760
单价: ¥29.80000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,423
单价: ¥25.53000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,996
单价: ¥23.32000
规格书

IRF520N

DigiKey 零件编号
IRF520N-ND
制造商
制造商产品编号
IRF520N
描述
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 100 V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳